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第254章 EDA进度 突破(2/2)

    他语气带着几分振奋:“楚总,存储芯片的核心架构设计有了新突破!我们解决了动态读写时的缓存冲突问题,理论存储密度能提升20%。”

    楚千澜接过文件,目光落在架构图上。“具体怎么实现的?”

    “我们借鉴了星象指令集的动态调度逻辑,在存储单元间加了一层‘智能缓冲层’。”赵立伟指着架构图解释,“当多个读写指令同时触发时,缓冲层会根据数据热度自动分配优先级,避免传统架构中常见的‘总线拥堵’现象。

    而且,我们优化了存储单元的电荷保持电路,漏电率降低了18%,续航表现也能跟着提升。”

    周明远在一旁补充:“他们这个缓冲层设计很巧妙,不仅能适配存储芯片,我们的嵌入式芯片也能借鉴,说不定能进一步降低功耗。”

    楚千澜翻到文件末尾的性能预测表,“理论读写速度提升15%,成本降低8%……数据看着不错。但实际效果,还得等流片后才能验证。”

    说到这里,几人均是叹了一口气。
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