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第一百八十三章:制备碳化硅晶体管(2/2)

,吃完后就立刻回到了实验室,并没有按照以前的方式休息一会。

    他现在想尽快完成这个二级任务。

    回到化学实验室,韩元从储物间中取出来硫酸、硝酸等一些下午需要用材料。

    “昨天我跟大家讲过了,三晶体管一共有三层,每一层的物质组成结构和作用都不同。”

    “上午我处理好的碳化硅晶材,就是一层,也是碳化硅晶体管的主体。”

    “而现在,我要来给主体来添加另外两层极点了。”

    “这次我制备的晶体管,从功能上来说,属于信号放大晶体管。”

    “所以我需要按照昨天讲解的方式,给他添上N-漂移层和P阱,来起到聚集电子和放大电信号的作用。”

    “至于材料,N-漂移层和昨天讲解一样,用的是铝,不过并非是简单的用铝包裹一层。”

    “而是需要将铝制备成铝离子,然后注入到上午侵蚀出来的沟槽中,从而形成稳定的N-漂移层。”

    “所以我现在需要先将铝离子制备出来。”

    一边讲解,韩元一边动手处理材料。

    铝离子的制备对已经掌握了初级化工应用知识信息的他来说很简单。

    用硫酸盐或者氯盐在强氧化剂的保护下就可以制备出来。

    而且制备出来的铝离子含量还相当高,足够他用来制造晶体管中的N-漂移层了。
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